钨离子注入件是半导体离子注入工艺中的关键耗材，主要用于高能离子轰击材料表面以改变其电学性能。这类部件通常由高纯度钨（W1牌号，纯度≥99.95%）制成，具有耐高温（变形温度可达2000-2500℃）、高密度（19.3 g/cm³）和高硬度的特性。
