半导体离子注入用钨钼零部件

晶圆制造工序之一离子注入，是半导体产业的关键领域.离子注入技术是一种改变材料性能的高新技术，主要应用于半导体材料掺杂，金属、陶瓷等领域，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的工序。

半导体制造工艺中的温度高达1400 °C,并且有腐蚀性很强的气体、电磁场和强大的机械力对传统材料而言会产生诸多问题。

我们采用钨、钼、钽等制成的高温零部件应用于离子注入制程，完好整合了防腐性、材料强度、高热导率和绝对纯度等特性,性能稳定。确保了离子的优良产生,在通往晶圆的光径上离子受精准指引且不含杂质。