钼离子注入件-钼腔体

晶圆制造工序之一离子注入，是半导体产业的关键领域。离子注入技术是一种改变材料性能的高新技术，主要应用于半导体材料掺杂，金属、陶瓷等领域，在当代制造大规模集成电路中，可以说是一种必不可少的工序。

半导体制造工艺中的温度高达1400 °C，并且有腐蚀性很强的气体、电磁场和强大的机械力对传统材料而言会产生诸多问题。

我们采用钨、钼、钽等制成的高温零部件应用于离子注入制程，完好整合了防腐性、材料强度、高热导率和绝对纯度等特性，性能稳定。确保了离子的优良产生，在通往晶圆的光径上离子受精准指引且不含杂质。

离子注入过程用钨钼产品：
灯丝（钨及其钨合金）

· 弧缝（钨及其钨合金）

· 夹具（钨、钼及其合金）

· 阴极（钨及其钨合金）

· 零备件（钨、钼、钽及其合金）

· 腔室（钨、钼及其合金

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